低导通电阻、高速切换功率器件N沟道MOSFET产品线扩充 XPJ101N04N8R、XPJ102N09N8R

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低导通电阻、高速切换功率器件N沟道MOSFET产品线扩充 XPJ101N04N8R、XPJ102N09N8R

发布日期：日期：2025-02-18
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文章来源：Torex（特瑞仕）官网

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区董事总经理：木村岳史，以下简称“特瑞仕”）开发了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作为功率器件的新系列。

近年来，工业设备和汽车相关设备对低功耗、小型化和高效化的需求不断增加。为了响应这些市场需求，特瑞仕不断加强MOSFET技术。特别是针对工业设备、数据中心和服务器使用的48V直流电机，采用了支持耐压100V的设计，兼具高性能与高性价比。

XPJ101N04N8R实现了最大4.4mΩ的导通电阻，而XPJ102N09N8R实现了最大9.4mΩ的导通电阻。这种低导通电阻能够有效降低能量损失，有助于提高整个系统的效率。该产品拥有出色的FOM（Figure of Merit），非常适合需要高速切换特性的应用。可用于直流电机、开关电路等多种应用场景。

产品采用DFN5060-8L封装（6.0 x 4.9 x h1.1mm），有助于设备的小型化。此外，这些产品符合欧盟RoHS指令，并为无铅环保产品。

图1. DFN5060-8L封装(6.0 x 4.9 x h1.1mm)

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